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IPB020NE7N3 G产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3MOSFET N-channel POWER MOS |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 120 A |
Id-连续漏极电流 | 120 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB020NE7N3 GOptiMOS™ |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPB020NE7N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121e31c838554d3 |
产品型号 | IPB020NE7N3 G |
Pd-PowerDissipation | 300 W |
Pd-功率耗散 | 300 W |
Qg-GateCharge | 206 nC |
Qg-栅极电荷 | 206 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 2.3 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 2.3 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.8 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.8 V |
上升时间 | 26 ns |
下降时间 | 22 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.8V @ 273µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14400pF @ 37.5V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 206nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2 毫欧 @ 100A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PG-TO263-2 |
其它名称 | IPB020NE7N3 GDKR |
典型关闭延迟时间 | 70 ns |
功率-最大值 | 300W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Infineon Technologies |
商标名 | OptiMOS |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 196 S, 98 S |
漏源极电压(Vdss) | 75V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |
系列 | IPB020NE7 |
零件号别名 | IPB020NE7N3GATMA1 SP000676950 |
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